Fosfuro di indio InP

Descrizione

Fosfuro di indio InP,N. CAS 22398-80-7, punto di fusione 1600°C, un semiconduttore composto binario della famiglia III-V, una struttura cristallina cubica "miscela di zinco" a facce centrate, identica alla maggior parte dei semiconduttori III-V, è sintetizzato da 6N 7N elemento di indio e fosforo ad alta purezza e cresciuto in cristallo singolo mediante tecnica LEC o VGF.Il cristallo di fosfuro di indio è drogato per essere di tipo n, di tipo p o con conducibilità semi-isolante per un'ulteriore fabbricazione di wafer fino a 6 "(150 mm) di diametro, che presenta il suo intervallo di banda diretto, un'elevata mobilità superiore di elettroni e lacune e un'efficienza termica conducibilità.Indium Phosfide InP Wafer prime o test grade presso Western Minmetals (SC) Corporation possono essere offerti con conduttività di tipo p, tipo n e semiisolante in dimensioni di 2" 3" 4" e 6" (fino a 150 mm) di diametro, orientamento <111> o <100> e spessore 350-625um con finitura superficiale di processo inciso e lucidato o Epi-ready.Nel frattempo, il lingotto in cristallo singolo al fosfuro di indio 2-6″ è disponibile su richiesta.Sono inoltre disponibili lingotti InP al fosfuro di indio policristallino o InP multicristallino di dimensioni D(60-75) x Lunghezza (180-400) mm di 2,5-6,0 kg con concentrazione di carrier inferiore a 6E15 o 6E15-3E16.Qualsiasi specifica personalizzata disponibile su richiesta per ottenere la soluzione perfetta.

Applicazioni

Il wafer InP al fosfuro di indio è ampiamente utilizzato per la produzione di componenti optoelettronici, dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza, come substrato per dispositivi optoelettronici a base di indio-gallio-arseniuro epitassiale (InGaAs).Il fosfuro di indio è anche nella fabbricazione di sorgenti luminose estremamente promettenti nelle comunicazioni in fibra ottica, dispositivi di alimentazione a microonde, amplificatori a microonde e dispositivi FET gate, modulatori ad alta velocità e fotorilevatori, navigazione satellitare e così via.

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Specifica tecnica

Fosfuro di indio InP

Cristallo singolo di fosfuro di indioIl wafer (lingotto di cristallo InP o wafer) presso Western Minmetals (SC) Corporation può essere offerto con conduttività di tipo p, tipo n e semiisolante in dimensioni di 2" 3" 4" e 6" (fino a 150 mm) di diametro, orientamento <111> o <100> e spessore 350-625um con finitura superficiale di processo inciso e lucidato o Epi-ready.

Fosfuro di indio Policristallinoo lingotto Multi-Crystal (lingotto InP poly) di dimensioni D(60-75) x L(180-400) mm di 2,5-6,0 kg con concentrazione di supporto inferiore a 6E15 o 6E15-3E16 è disponibile.Qualsiasi specifica personalizzata disponibile su richiesta per ottenere la soluzione perfetta.

No.	Elementi	Specifiche standard
1	Cristallo singolo di fosfuro di indio	2"	3"	4"
2	Diametro mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metodo di crescita	VGF	VGF	VGF
4	Conducibilità	P/Zn drogato, N/(S drogato o non drogato), Semi-isolante
5	Orientamento	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Spessore μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientamento Piatto mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificazione Piatto mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilità cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Concentrazione vettore cm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Arco μm max	10	10	10
13	Ordito μm max	15	15	15
14	Densità di dislocazione cm-2 max	500	1000	2000
15	Finitura superficiale	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Imballaggio	Contenitore per cialda singola sigillato in busta composita di alluminio.

No.	Elementi	Specifiche standard
1	Lingotto di fosfuro di indio	Lingotto policristallino o multicristallo
2	Dimensione del cristallo	D(60-75) x L(180-400) mm
3	Peso per lingotto di cristallo	2,5-6,0 kg
4	Mobilità	≥3500 cm²/VS
5	Concentrazione portante	≤6E15 o 6E15-3E16 cm^-3
6	Imballaggio	Ogni lingotto di cristallo InP è in un sacchetto di plastica sigillato, 2-3 lingotti in una scatola di cartone.

Formula lineare	In P
Peso molecolare	145.79
Struttura di cristallo	Miscela di zinco
Aspetto esteriore	Cristallino
Punto di fusione	1062°C
Punto di ebollizione	N / A
Densità a 300K	4,81 g/cm³
Divario energetico	1.344 eV
Resistività intrinseca	8.6E7 Ω-cm
Numero CAS	22398-80-7
Numero CE	244-959-5

Wafer InP Fosfuro Di Indioè ampiamente utilizzato per la produzione di componenti optoelettronici, dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza, come substrato per dispositivi optoelettronici a base di indio-gallio-arseniuro epitassiale (InGaAs).Il fosfuro di indio è anche nella fabbricazione di sorgenti luminose estremamente promettenti nelle comunicazioni in fibra ottica, dispositivi di alimentazione a microonde, amplificatori a microonde e dispositivi FET gate, modulatori ad alta velocità e fotorilevatori, navigazione satellitare e così via.