Indio Antimonide InSb

Descrizione

Indimonide InSb, un semiconduttore dei composti cristallini del gruppo III-V con struttura reticolare di zinco-blenda, viene sintetizzato da elementi di indio e antimonio 6N 7N ad alta purezza e cresciuto a cristallo singolo con il metodo VGF o il metodo Czochralski LEC incapsulato liquido da lingotto policristallino raffinato a zone multiple, che può essere affettato e fabbricato in wafer e successivamente bloccato.InSb è un semiconduttore a transizione diretta con uno stretto intervallo di banda di 0,17 eV a temperatura ambiente, un'elevata sensibilità alla lunghezza d'onda di 1–5 μm e una mobilità di sala ultra elevata.Indium Antimonide InSb tipo n, tipo p e conduttività semiisolante presso Western Minmetals (SC) Corporation può essere offerto in dimensioni di 1″ 2″ 3″ e 4" (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) di diametro, orientamento < 111> o <100>, e con finitura superficiale del wafer as-cut, lappata, acidata e lucidata.È disponibile anche il target InSb antimonide indio di Dia.50-80mm con tipo n non drogato.Nel frattempo, l'antimonide di indio policristallino InSb ( multicristallo InSb) con dimensioni di grumo irregolare, o grezzo (15-40) x (40-80) mm, e barra tonda di D30-80 mm sono anche personalizzati su richiesta per la soluzione perfetta.

Applicazione

Indium Antimonide InSb è un substrato ideale per la produzione di molti componenti e dispositivi all'avanguardia, come soluzioni di imaging termico avanzate, sistema FLIR, elemento hall ed elemento ad effetto magnetoresistenza, sistema di guida missilistica a infrarossi, sensore fotorilevatore a infrarossi altamente reattivo , sensore di resistività magnetica e rotativa ad alta precisione, array planari focali e adattato anche come sorgente di radiazioni terahertz e nel telescopio spaziale astronomico a infrarossi ecc.

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Specifica tecnica

Antimonide di indio

InSb

Substrato di antimonide di indio(Substrato InSb, Wafer InSb) Il tipo n o il tipo p presso Western Minmetals (SC) Corporation possono essere offerti in dimensioni di 1" 2" 3" e 4" (30, 50, 75 e 100 mm) di diametro, orientamento <111> o <100> e con superficie in wafer di finitura lappata, acidata, lucidata.Su richiesta è possibile fornire anche la barra Monocristallo Indium Antimonide (barra InSb Monocrystal).

Antimonide di indioPolicristallino (InSb Policristallino, o multicristallo InSb) con dimensioni di grumo irregolare, o grezzo (15-40)x(40-80)mm sono anche personalizzati su richiesta per la soluzione perfetta.

Nel frattempo, è disponibile anche l'indium antimonide target (InSb Target) di Dia.50-80mm con tipo n non drogato.

No.	Elementi	Specifiche standard
1	Substrato di antimonide di indio	2"	3"	4"
2	Diametro mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metodo di crescita	LEC	LEC	LEC
4	Conducibilità	Tipo P/Zn, drogato con Ge, tipo N/dopato con Te, non drogato
5	Orientamento	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Spessore μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientamento Piatto mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificazione Piatto mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilità cm2/Vs	1-7E5 N/non drogato, 3E5-2E4 N/te-dopato, 8-0.6E3 o ≤8E13 P/Ge-dopato
10	Concentrazione vettore cm-3	6E13-3E14 N/non drogato, 3E14-2E18 N/te drogato, 1E14-9E17 o <1E14 P/Ge drogato
11	TTV μm max	15	15	15
12	Arco μm max	15	15	15
13	Ordito μm max	20	20	20
14	Densità di dislocazione cm-2 max	50	50	50
15	Finitura superficiale	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Imballaggio	Contenitore per cialde singolo sigillato in busta di alluminio.

No.	Elementi	Specifiche standard
No.	Elementi	Indimonide policristallino	Bersaglio di antimonide di indio
1	Conducibilità	Annullato	Annullato
2	Portante Concentrazione cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilità cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Dimensione	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Imballaggio	In sacchetto di alluminio composito, scatola di cartone all'esterno

Formula lineare	InSb
Peso molecolare	236.58
Struttura di cristallo	Miscela di zinco
Aspetto esteriore	Cristalli metallizzati grigio scuro
Punto di fusione	527°C
Punto di ebollizione	N / A
Densità a 300K	5,78 g/cm³
Divario energetico	0,17 eV
Resistività intrinseca	4E(-3) Ω-cm
Numero CAS	1312-41-0
Numero CE	215-192-3

Indio Antimonide InSbil wafer è un substrato ideale per la produzione di molti componenti e dispositivi all'avanguardia, come soluzioni di imaging termico avanzate, sistema FLIR, elemento hall ed elemento effetto magnetoresistenza, sistema di guida a infrarossi per missili homing, sensore fotorilevatore a infrarossi altamente reattivo, alta -sensore di resistività magnetica e rotativa di precisione, array planari focali e adattato anche come sorgente di radiazioni terahertz e nel telescopio spaziale astronomico a infrarossi ecc.