Ossido di afnio

Ossido di afnio HfO₂, è insolubile in acqua, HCl e HNO3, ma solubile in H2SO4 e HF.

HfO2 è un materiale ceramico con un'ampia banda proibita e un'elevata costante dielettrica, è il più probabile che sostituisca la silice isolante di gate del tubo ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo per risolvere il problema del limite di dimensione dello sviluppo della tradizionale struttura SiO₂/Si in MOSFET , quindi è un materiale avanzato utilizzato in campo microelettronico.

È anche ampiamente utilizzato per produrre metallo afnio, composti di afnio, materiale refrattario, materiale di rivestimento anti-radioattivo e catalizzatore.