Arseniuro di gallio GaAs

Descrizione

Arseniuro di gallioGaAs è un semiconduttore composto a gap di banda diretto del gruppo III-V sintetizzato da almeno 6N 7N di gallio ad alta purezza ed elemento di arsenico e cristallo cresciuto mediante processo VGF o LEC da arseniuro di gallio policristallino ad alta purezza, aspetto di colore grigio, cristalli cubici con struttura di zinco-blenda.Con il drogaggio di carbonio, silicio, tellurio o zinco per ottenere rispettivamente conduttività di tipo n o p e semiisolante, un cristallo cilindrico InAs può essere tagliato e fabbricato in bianco e wafer in as-cut, acidato, lucidato o epi -pronto per la crescita epitassiale MBE o MOCVD.Il wafer di arseniuro di gallio viene utilizzato principalmente per fabbricare dispositivi elettronici come diodi emettitori di luce a infrarossi, diodi laser, finestre ottiche, transistor ad effetto di campo FET, circuiti integrati lineari digitali e celle solari.I componenti GaAs sono utili nelle frequenze radio ultra elevate e nelle applicazioni di commutazione elettronica veloce, nelle applicazioni di amplificazione del segnale debole.Inoltre, il substrato di arseniuro di gallio è un materiale ideale per la produzione di componenti RF, circuiti integrati monolitici e di frequenza delle microonde e dispositivi LED nelle comunicazioni ottiche e nei sistemi di controllo per la sua mobilità saturante della sala, alta potenza e stabilità della temperatura.

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Il GaAs di arseniuro di gallio presso la Western Minmetals (SC) Corporation può essere fornito come wafer policristallino o wafer a cristallo singolo in wafer tagliati, incisi, lucidati o pronti per l'epi in una dimensione di 2" 3" 4" e 6" (50 mm, diametro 75 mm, 100 mm, 150 mm), con conduttività di tipo p, tipo n o semiisolante e orientamento <111> o <100>.Le specifiche personalizzate sono la soluzione perfetta per i nostri clienti in tutto il mondo.

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Specifica tecnica

Arseniuro di gallio

GaAs

Arseniuro di gallio GaAsi wafer sono utilizzati principalmente per fabbricare dispositivi elettronici come diodi emettitori di luce a infrarossi, diodi laser, finestre ottiche, transistor ad effetto di campo FET, circuiti integrati lineari digitali e celle solari.I componenti GaAs sono utili nelle frequenze radio ultra elevate e nelle applicazioni di commutazione elettronica veloce, nelle applicazioni di amplificazione del segnale debole.Inoltre, il substrato di arseniuro di gallio è un materiale ideale per la produzione di componenti RF, circuiti integrati monolitici e di frequenza delle microonde e dispositivi LED nelle comunicazioni ottiche e nei sistemi di controllo per la sua mobilità saturante della sala, alta potenza e stabilità della temperatura.

No.	Elementi	Specifiche standard
1	Dimensione	2"	3"	4"	6"
2	Diametro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Metodo di crescita	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Tipo di conducibilità	Tipo N/Si o Te drogato, Tipo P/Zn drogato, Semiisolante/Non drogato
5	Orientamento	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Spessore μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientamento Piatto mm	17±1	22±1	32±1	Tacca
8	Identificazione Piatto mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistività Ω-cm	(1-9)E(-3) per tipo p o tipo n, (1-10)E8 per semiisolante
10	Mobilità cm2/vs	50-120 per tipo p, (1-2.5)E3 per tipo n, ≥4000 per semiisolante
11	Concentrazione vettore cm-3	(5-50)E18 per tipo p, (0,8-4)E18 per tipo n
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Arco μm max	30	30	30	30
14	Ordito μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Finitura superficiale	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Imballaggio	Contenitore per cialda singola sigillato in busta composita di alluminio.
18	Osservazioni	Su richiesta sono disponibili anche wafer GaAs di grado meccanico.

Formula lineare	GaAs
Peso molecolare	144.64
Struttura di cristallo	Miscela di zinco
Aspetto esteriore	Solido cristallino grigio
Punto di fusione	1400°C, 2550°F
Punto di ebollizione	N / A
Densità a 300K	5,32 g/cm³
Divario energetico	1.424 eV
Resistività intrinseca	3.3E8 Ω-cm
Numero CAS	1303-00-0
Numero CE	215-114-8

Arseniuro di gallio GaAspresso Western Minmetals (SC) Corporation può essere fornito come wafer policristallino o wafer a cristallo singolo in wafer tagliati, incisi, lucidati o pronti per l'epi in una dimensione di 2" 3" 4" e 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm , 150 mm) di diametro, con conduttività di tipo p, tipo n o semiisolante e orientamento <111> o <100>.Le specifiche personalizzate sono la soluzione perfetta per i nostri clienti in tutto il mondo.