Ossido di indio

Descrizione

Ossido di indio In₂O₃o triossido di indio 99,99%, 99,995%, 99,999% e 99,9999%, una polvere solida giallo chiaro di micropolvere o nanoparticelle, CAS 1312-43-3, densità 7,18 g/cm³e fondendo intorno ai 2000°C, è un materiale simile alla ceramica stabile che è insolubile in acqua, ma solubile in acido inorganico caldo.Dentro l'ossido di indio₂O₃è un materiale con funzione semiconduttore di tipo n con resistività minore, maggiore attività catalitica e un'ampia banda proibita per applicazioni optoelettroniche. Dentro l'ossido di indio₂O₃presso Western Minmetals (SC) Corporation può essere consegnato con purezza del 99,99%, 99,995%, 99,999% e 99,9999% in dimensioni di 2-10 micron o -100 mesh in polvere e nano grado, 1 kg confezionato in bottiglia di polietilene con sacchetto di plastica sigillato, o 1 kg, 2 kg 5 kg in un sacchetto di alluminio composito con scatola di cartone all'esterno, o come specifiche personalizzate per soluzioni perfette.

Applicazioni

Dentro l'ossido di indio₂O₃ha un uso diffuso in fotoelettrico, sensore di gas, riflettori a infrarossi a film sottile, applicazione di catalizzatori, additivo colorato per vetro speciale, batterie alcaline e interruttori e contatti elettrici ad alta corrente, rivestimento protettivo di specchi metallici e per film semiconduttori di elettro-ottico display ecc₂O₃è il componente principale del target ITO per display, finestre ad alta efficienza energetica e fotovoltaico.Inoltre, In₂O₃è come elemento resistivo nei circuiti integrati per formare eterogiunzioni con materiali come p-InP, n-GaAs, n-Si e altri semiconduttori.Nel frattempo, avendo effetto di superficie, piccole dimensioni e effetto tunnel quantistico macroscopico,Nano dentro₂O₃è principalmente per rivestimenti ottici e antistatici, applicazione di rivestimenti conduttivi trasparenti.

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Specifica tecnica

In₂O₃

Aspetto esteriore	Polvere giallastra
Peso molecolare	277.63
Densità	7,18 g/cm³
Punto di fusione	2000°C
N. CAS	1312-43-2

No.	Elemento		Specifiche standard
1	Purezza dentro₂O₃≥		Impurità (Rapporto di prova ICP-MS PPM Max ciascuno)
2	4N	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3,0, Pb 4,0, Sn 7,0, Cd 8,0, Fe 15	Totale ≤100
	4N5	99,995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1,0, Si 2,0, Fe/Ca 5,0	Totale ≤50
	5N	99,999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Totale ≤10
	6N	99,9999%	disponibile su richiesta	Totale ≤1,0
3	Dimensione		Polvere da 2-10μm per purezza 4N 5N5 5N, polvere da -100 mesh per purezza 6N
4	Imballaggio		Flacone da 1 kg in polietilene con sacchetto di plastica sigillato all'esterno

Dentro l'ossido di indio₂O₃ o Triossido di Indio In₂O₃presso Western Minmetals (SC) Corporation può essere fornito con purezza del 99,99%, 99,995%, 99,999% e 99,9999% 4N 4N5 5N 6N in dimensioni di 2-10 micron o -100 mesh polvere e nano grado, 1 kg confezionato in bottiglia di polietilene con sacchetto di plastica sigillato, quindi scatola di cartone all'esterno o come specifiche personalizzate per soluzioni perfette.

Dentro l'ossido di indio₂O₃ha un uso diffuso in fotoelettrico, sensore di gas, riflettori a infrarossi a film sottile, applicazione di catalizzatori, additivo colorato per vetro speciale, batterie alcaline e interruttori e contatti elettrici ad alta corrente, rivestimento protettivo di specchi metallici e per film semiconduttori di elettro-ottico display ecc₂O₃è il componente principale del target ITO per display, finestre ad alta efficienza energetica e fotovoltaico.Inoltre, In₂O₃è come elemento resistivo nei circuiti integrati per formare eterogiunzioni con materiali come p-InP, n-GaAs, n-Si e altri semiconduttori.Nel frattempo, con effetto di superficie, dimensioni ridotte e effetto tunnel quantistico macroscopico, Nano In₂O₃è principalmente per rivestimenti ottici e antistatici, applicazione di rivestimenti conduttivi trasparenti.